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Western Digital WD_BLACK SN8100 NVMe SSD 2TB, M.2 2280 / M-Key / PCIe 5.0 x4

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  • Speichermodule: 3D-NAND TLC, Kioxia, 218 Layer (BiCS8)
  • Bauform: Solid State Module (SSM)
  • Formfaktor: M.2 2280
  • Schnittstelle: M.2/M-Key (PCIe 5.0 x4)
  • Abmessungen: 80x22x2.38mm (ohne Kühlkörper)
  • Kapazität: 2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen)
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Artikelnr. WDS200T1X0M-00CMT0
Kategorie

Western Digital WD_BLACK SN8100 NVMe SSD 2TB, M.2 2280 / M-Key / PCIe 5.0 x4

Artikelnummer: WDS200T1X0M-00CMT0

Die Western Digital WD_BLACK SN8100 NVMe SSD (WDS200T1X0M-00CMT0) ist eine High-End-M.2-2280-SSD mit PCIe-5.0-x4-Schnittstelle, die für maximale Leistung in Gaming-, Content-Creation- und Workstation-Systemen entwickelt wurde. Sie nutzt modernste NVMe-Technologie und gehört zu den schnellsten Consumer-SSDs ihrer Klasse.

Produktbeschreibung:
Die SN8100 erreicht laut Hersteller und offiziellen Spezifikationen extrem hohe Transferraten von bis zu 14.900 MB/s beim Lesen und bis zu 14.000 MB/s beim Schreiben (modellabhängig). Sie basiert auf moderner 3D-TLC-NAND-Technologie und ist für hohe Dauerlasten ausgelegt, inklusive anspruchsvoller Anwendungen wie Gaming, 4K/8K-Video-Editing und KI-Workloads.

Durch die PCIe-5.0-Schnittstelle bietet sie eine deutlich höhere Bandbreite als PCIe-4.0-SSDs und ist gleichzeitig abwärtskompatibel zu älteren PCIe-Standards. Die SSD unterstützt NVMe 2.0, verfügt über hohe IOPS-Leistung für schnelle Random-Zugriffe und ist für moderne Desktop-Systeme sowie High-End-Workstations optimiert.

Das Laufwerk ist im M.2-2280-Format ausgeführt und benötigt je nach System ggf. eine Kühlung (Heatsink optional oder mainboardabhängig), da PCIe-5.0-SSDs unter Last höhere Temperaturen erreichen können.

Hauptmerkmale:

  • Kapazität: 2TB
  • Formfaktor: M.2 2280 (M-Key)
  • Schnittstelle: PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0
  • Lesegeschwindigkeit: bis zu 14.900 MB/s
  • Schreibgeschwindigkeit: bis zu 14.000 MB/s
  • 3D TLC NAND für hohe Leistung und Zuverlässigkeit
  • Sehr hohe IOPS für schnelle Zugriffszeiten
  • Geeignet für Gaming, AI, Content Creation und Workstations
  • Hohe Energieeffizienz im Vergleich zu früheren High-End-Generationen
Kapazität2TB (entspricht ca. 1862.65GiB bzw. 1.82TiB, weiterführende Informationen)
BauformSolid State Module (SSM)
FormfaktorM.2 2280
SchnittstelleM.2/M-Key (PCIe 5.0 x4)
Lesen14900MB/s
Schreiben14000MB/s
IOPS 4K2300K lesend, 2400K schreibend
Speichermodule3D-NAND TLC, Kioxia, 218 Layer (BiCS8)
TBW1200TB, entspricht 600 Schreibzyklen (TBW/Kapazität)
Zuverlässigkeitsprognose1.75 Mio. Stunden (MTTF)
ControllerSilicon Motion SM2508, 8 Kanäle
DRAM-Cacheja, 2GB DDR4
ProtokollNVMe 2.0
Datenschutzfunktionen256bit AES, TCG Opal 2.02
Leistungsaufnahme7W (Betrieb), 5mW (Schlafmodus)
Abmessungen80x22x2.38mm (ohne Kühlkörper)
Garantie5 Jahre